ПЕРВОЕ ВЫСШЕЕ ТЕХНИЧЕСКОЕ УЧЕБНОЕ ЗАВЕДЕНИЕ В РОССИИ

САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОРНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

Федорцов Александр Борисович


Ученая степеньДоктор физико-математических наук
Ученое званиеПрофессор
ДолжностьПрофессор каф общей и технической физики


Телефон
+7 (812) 328-8465


Адрес
Инженерный корпус, Малый пр., 83

Аудитория
225

Время работы
08:45 - 17:30

Профили автора
Идентификаторы автора


Окончил с отличием в 1970 году факультет радиоэлектроники Ленинградского политехнического института по специальности «Оптико-электронные приборы». Квалификация: инженер-физик.

В 1970 - 1983 годах работал в Опытно-ко-констркторском бюро «Импульс». Последовательно занимал должности инженера, конструктора 1 категории, начальника группы физических измерений. В 1972 – 1975 годах обучался в  аспирантуре Северо-западного заочного политехнического института. Кандидат физико-математических наук  по специальности "Физика полупроводников и диэлектриков" (1976, ЛПИ).

В 1983-1985 годах – доцент Высшего военно-морского училища подводного плавания. С 1985 по 1997 год - доцент, затем профессор Северо-западного заочного технического университета. В  1995 году защитил в Институте аналитического приборостроения РАН докторскую диссертацию по специальности "Техника физического эксперимента". Профессор по кафедре физики (1996).

В 1997 – 2007 годах заведующий кафедрой в Морском корпусе Петра Великого.  С 2007 по 2011 год – заведующий кафедрой и декан в Северо-западном заочном техническом университете. После присоединения СЗТУ к Горному университету в 2012-2013 годах -  декан вечернего факультета. С 2014 года по настоящее время – профессор кафедры общей и технической физики Горного университета.

В 1993 году работал в Датском техническом университете (г.Люнгбю) в качестве приглашённого учёного.

В 2002 году указом Президента РФ присвоено звание Заслуженного работника высшей школы РФ.

Сфера научных интересов - оптико-электронные приборы и системы.

Руководитель и участник ряда проектов по заказам предприятий и федеральным программам. 

Статьи в журналах

  1. Manukhov V. V., Fedortsov A. B., Contactless nondestructive method for determination of the carrier diffusion length in semiconductors and dielectrics / Journal of Physics Conference Series , № 1, V 816, 2017. С 12 - 14.
  2. Федорцов А. Б., Повышение точности скоростных лазерных измерений толщины твёрдых и жидких плёнок. / Записки Горного института , № 1, Т 218, 2016. С 306 - 312.
  3. Манухов В. В., Федорцов А. Б., Иванов А. Б., Лазерно-интерференционный метод определения длины диффузии носителей заряда в полупроводниках. / Физика и техника полупроводников, № 9, Т 49, 2015. С 1153 - 1159.
  4. Manuhov V. V., IvanovI A. S., Fedortsov A. B., Laser interferometric method for determining the carrier diffusion length in semiconductors / Semiconductors , № 9, Т 9, 2015. С 1119 - 1124.
  5. Fedortsov A. B., Yurova V. A., Dispersion forces in nanoscale structures metal – dielectric – semiconductor. / Smart nanocomposites, № 1, V 4, 2013. pp. 67 - 70.
  6. Гончар И. В., Федорцов А. Б., Иванов А. С., Манухов В. В., Автоматизированный быстродействующий лазерный интерферометр для контроля толщины твердых и жидких пленок / Известия ВУЗов. Приборостроение, № 5, Т 55, 2012. С 72 - 79.
  7. Гончар И. В., Иванов А. С., Федорцов А. Б., Быстродействующий интерферометрический измеритель толщины пленок в диапазоне от десяти до тысячи микрон. / Научно-технические ведомости СПБГПУ Физ.-мат. науки , № 3, Т 153, 2012. С 48 - 52.
  8. Юрова В. А., Федорцов А. Б., Климчицкая Г. Л., Давление силы Казимира на слой диэлектрика в наноразмерных слоистых твердотельных структурах «алюминий-оксид кремния-кремний». / Научно-технические ведомости СПБГПУ. Физ.-мат. науки, № 3, Т 153, 2012. С 22 - 28.
  9. Churkin Y. V., Klivchitskaya G. L., Yurova V. A., Fedortsov A. B., Dispersion interaction of atoms with single-walled carbon nanotubes described by the Dirac model. / International Journal of Modern Physics A, № 22, V 26, 2011. pp. 3958 - 3966.
  10. Иванов А. С., Манухов В. В., Федорцов А. Б., Чуркин Ю. В., Быстродействующий прибор для контроля угловой зависимости коэффициента отражения лазерного луча / Известия ВУЗов. Приборостроение, № 3, Т 54, 2011. С 61 - 64.
  11. Klimchitskaya G. L., Churkin Y. V., Fedortsov A. B., Yurova V. A., Casimir force pressure on the insulating layer in metal-insulater-semicoductor structures / Physics of the solid state, № 9, V 53, 2011. pp. 1820 - 1824.
  12. Климчицкая Г. Л., Юрова В. А., Чуркин Ю. В., Федорцов А. Б., Давление силы Казимира на слой диэлектрика в структурах металл - диэлектрик - полупроводник. / Физика твёрдого тела , № 9, Т 53, 2011. С 1820 - 1826.

Публикации в сборниках, трудах, конференций

  1. Федорцов А. Б., Иванов А. С. Проведение дифференцированного зачёта по теоретическому курсу в письменной форме. / «Современные образовательные технологии в преподавании естественнонаучных и гуманитарных дисциплин»/ под ред.Маховиков А. Б. //Санкт-Петербург: Санкт-Петпрбургский горный университет , Т 1, 2016. С 561 - 566.
  2. Андреева Е. В., Федорцов А. Б. Ядерно-физические методы в геологоразведке. / Современные образовательные технологии в преподавании естественнонаучных и гуманитарных дисциплин/ под ред.Маховиков А. Б. //Санкт-Петербург: Санкт-Петпрбургский горный университет , Т 1, 2016. С 644 - 649.
  3. Федорцов А. Б., Юрова В. А. Исследование зависимости дисперсионных сил в МДП-структурах от свойств материала диэлектрика. . / Неделя науки СПбПУ : материалы научного форума с международным участием./ под ред.Гасуманянц В. Э. //Санкт-Петербург: Санкт-Петербупгский государственный политехнический университет , Т 1, 2015. С 250 - 252.
  4. Fedortsov A. B., Yurova V. A. Dispersion forces in nanoscale structures metal- dielectric-semiconductor. . / “Nanoscale-arranged sistems for nanotechnology”/ под ред.Levin K. V. //Saint-Petersburg: Saint-Petersburg Mining University , V 1, 2015. pp. 121 - 124.
  5. Федорцов А. Б., Использование проблемного метода в преподавании естественнонаучных дисциплин в техническом ВУЗе . / «Современные образовательные технологии в преподавании естественнонаучных и гуманитарных дисциплин» / под ред.Маховиков А. Б. //Санкт-Петербург: Санкт-Петпрбургский горный университет , Т 1, 2015. С 567 - 570.
  6. Климчицкая Г. Л., Федорцов А. Б., Юрова В. А. Дисперсионные силы в структурах металл - диэлектрик - полупроводник различных составов. / Актуальные проблемы телекоммуникаций в науке и образовании. / под ред.Мохов В. В. //Санкт-Петербург: Государственный университет коммуникаций , Т 1, 2015. С 71 - 75.
  7. Boldyrev A. V., Gonchar I. V., IvanovI A. S. Compact algorithm of extrema count in the interference measurement. / International work shop on application in information technology/ под ред.Tsuruga I. M. //Fukushima: University of Aizu , V 1, 2015. pp. 87 - 90.
  8. Кузьмин Ю. И., Федорцов А. Б., Тупицкая Н. А. Опыт использования информационных и коммуникационных технологий при обучении студентов без отрыва от производства. / Современные образовательные технологии в преподавании естественнонаучных и гуманитарных дисциплин» с.396-400.. СПб.: Изд, 2014./ под ред.Маховиков А. Б. //Санкт-Петербург: Санкт-Петпрбургский горный университет , 2014. С 396 - 400.
  9. Манухов В. В., Иванов А. С., Федорцов А. Б. Бесконтактный метод определения длины диффузии носителей заряда в полупроводниковых пластинках.. / «Лазеры. Измерения. Информация. 2014.»/ под ред.Привалов В. Е. //Санкт-Петербург: Санкт-Петербупгский государственный политехнический университет , Т 2, 2014. С 126 - 136.
  10. Гончар И. В., Иванов А. С., Федорцов А. Б. Лазерный интерферометр для контроля толщины оптически прозрачных материалов.. / Сборник трудов 23-й международной конференциия«Лазеры. Измерения. Информация.2013. / под ред.Привалов В. Е. //Санкт-Петербург: Санкт-Петербургский государственный политехнический университет , Т 1, 2013. С 9 - 19.
  11. Гончар И. В., Федорцов А. Б., Ивавнов А. С. Многократное повышение точности лазерно-интерферометрического определения толщины диэлектрических и полупроводниковых плёнок в диапазоне от 10 мкм до 1мм.. / Сборник трудов 22-й международной конференции «Лазеры. Измерения. Информация.2012.». Т.2,стр. 93-106. Изд. СПб., 2012./ под ред.Привалов В. Е. //Санкт-Петербург: Санкт-Петербупгский государственный политехнический университет , Т 2, 2012. С 93 - 105.

Учебники, учебные пособия, монографии

  1. Цаплев В. М., Федорцов А. Б., Иванов А. С. Основы теории физических систем. Физические системы второго порядка (учебное пособие).. Санкт-Петербург: РИЦ Национального минерально-сырьевого университета "Горный", 2014 - 164
  2. Кузьмин Ю. И., Федорцов А. Б., Иванов А. С., Тупицкая Н. А. Техническая оптика (учебное пособие). Санкт-Петербург: Издательство Северо-западного заочного технического университета, 2011 - 120

Патенты

  1. Федорцов А. Б. Способ и устройство для определения длины диффузии носителей заряда в полупроводниковых пластинках. Патент РФ № 2578731. бюллетень изобретения. №9. дата публикации 2016.
  2. Федорцов А. Б. Устройство для изменения угла паднения луча в заданную точку неподвижного образца. Патент РФ № 123513. бюллетень полезные модели. №24. дата публикации 2013.
  3. Федорцов А. Б. Устройство для неразрушающего измерения толщины диэлектрических и полупроводниковых плёнок. Патент РФ № 131148. бюллетень полезные модели. №22. дата публикации 2013.
  4. Федорцов А. Б. Устройство для неразрушающего измерения толщины диэлектрических и полупроводниковых пленок. Патент РФ № 120490. бюллетень полезные модели. №23. дата публикации 2012.
  5. Федорцов А. Б. Способ бесконтактного определения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках. Патент РФ № 2.450.387. бюллетень изобретения. №14. дата публикации 2012.
  6. Юрова В. А. Программный комплекс «Квантово-механический расчет давления, оказываемого силой Казимира на слой диэлектрика в МДП-структуре при толщине диэлектрика от 1 нм до 1000 нм. Патент РФ № 202612343. бюллетень программ для ЭМВ. №3. дата публикации 2012.
  7. Федорцов А. Б. Устройство для бесконтактного измерения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках . Патент РФ № 2.444.085. бюллетень изобретения. №5. дата публикации 2012.
  8. Федорцов А. Б. Устройство для неразрушающего измерения толщины диэлектрических и полупроводниковых плёнок. Патент РФ № 2.411.448. бюллетень изобретения. №4. дата публикации 2012.
  9. Федорцов А. Б. Способ измерения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках. Патент РФ № 2.450.258. бюллетень изобретения. №13. дата публикации 2012.
  10. Гончар И. В. Программа обработки данных программно-аппаратного комплекса «Автоматизированный лазерный интерферометр для контроля толщины прозрачных и жидких пленок.. Патент РФ № 2012611152. бюллетень программ для ЭМВ. №1. дата публикации 2012.
  11. Федорцов А. Б. Устройство для неразрушающего измерения толщины диэлектрических и полупроводниковых пленок. Патент РФ № 120765. бюллетень полезные модели. №24. дата публикации 2012.
  12. Иванов А. С. Устройство для неразрушающего измерения толщины диэлектрических и полупроводниковых плёнок. Патент РФ № 101812. бюллетень полезные модели. №3. дата публикации 2011.
  1. «физика» (лекции, лабораторные работы, практические занятия).
    Направление подготовки «21.01.00 - Электроника инаноэлектроника». Профиль «Промышленная электроника».
    Семестр: 1, 2.
  2. «физика» (лекции, лабораторные работы, практические занятия).
    Специальность «21.05.03 - Технология геологической разведки». Специализация «Геологические методы поисков и разведки месторождений полезных ископаемых».
    Семестр: 2.
  3. «физика» (лекции, лабораторные работы, практические занятия).
    Специальность «21.05.03 - Технология геологической разведки». Специализация «Технология и техника разведки месторждений полезных ископаемых».
    Семестр: 2.
  4. «квантовая механика и статистическая физика» (лекции, практические занятия).
    Направление подготовки «210100 - Электроника и наноэлектроника». Профиль «Промышленная электроника».
    Семестр: 5.
  1. Программа: «Методические и дидактические основы создания системы оценки учебных достижений студентов».Место прохождение: Северо=западный заочный технический университет, г. Санкт-Петербург, Россия.
    Период прохождения: 2011.
День недели Неделя Время Корпус Группа Предмет
Вторник 12:35 – 14:05
Инженерный корпус, Малый пр., 83,
233,713
ПЭ-16 физика
Вторник 12:35 – 14:05
Инженерный корпус, Малый пр., 83,
713
ПЭ-16 физика
Вторник Ⅰ, Ⅱ 14:15 – 15:45
Инженерный корпус, Малый пр., 83,
640
РТ-16, РФ-16 ФИЗИКА
Четверг 14:15 – 15:45
Инженерный корпус, Малый пр., 83,
236
РФ-16 ФИЗИКА
Четверг 12:35 – 14:05
Инженерный корпус, Малый пр., 83,
235. 716
РТ-16 ФИЗИКА
Четверг 12:35 – 14:05
Инженерный корпус, Малый пр., 83,
714
РТ-16 ФИЗИКА
Четверг 14:15 – 15:45
Инженерный корпус, Малый пр., 83,
714
ПЭ-16, РС-16 ФИЗИКА