САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОРНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМПЕРАТРИЦЫ ЕКАТЕРИНЫ II

ПЕРВОЕ ВЫСШЕЕ ТЕХНИЧЕСКОЕ УЧЕБНОЕ ЗАВЕДЕНИЕ В РОССИИ

Laser interferometric method for determining the carrier diffusion length in semiconductors

Ссылка для цитирования (ENG)

Manuhov Vasiliy Vladimirovich , Fedortsov A. B., IvanovI A. S. Laser interferometric method for determining the carrier diffusion length in semiconductors Semiconductors . 2015. №9. pp. 1119-1124. http://link/springer.com/10/1134/s10637826

Авторы

Manuhov Vasiliy Vladimirovich , Fedortsov A. B., IvanovI A. S.

Журнал

Semiconductors

Год

2015

Ключевые слова


Аннотация