САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОРНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМПЕРАТРИЦЫ ЕКАТЕРИНЫ II

ПЕРВОЕ ВЫСШЕЕ ТЕХНИЧЕСКОЕ УЧЕБНОЕ ЗАВЕДЕНИЕ В РОССИИ

Laser interferometric method for determining the carrier diffusion length in semiconductors

Ссылка для цитирования (ENG)

Федорцов Александр Борисович , Иванов А. С., Манухов В. В. Laser interferometric method for determining the carrier diffusion length in semiconductors Semiconductors. 2015. №9. pp. 1119-1124. http://link.springer.com/article/10.1134/S1063782615090201

Авторы

Федорцов Александр Борисович , Иванов А. С., Манухов В. В.

Журнал

Semiconductors

Год

2015

Ключевые слова


Аннотация